MOS管和IGBT管都可以用作開(kāi)關(guān)元件。

它們的形狀和特征參數(shù)也相似。

那么它們之間有什么區(qū)別呢？什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的縮寫。

它是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

它可以簡(jiǎn)單地稱為“場(chǎng)效應(yīng)管”。

MOS管有兩種主要類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

（MOS管）。

由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，因此也稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

MOSFET可分為四類：N溝道耗盡型和增強(qiáng)型； N型耗盡型和增強(qiáng)型。

P通道耗盡類型和增強(qiáng)類型。

一些MOSFET的內(nèi)部有一個(gè)二極管，它是一個(gè)體二極管，一個(gè)寄生二極管或一個(gè)續(xù)流二極管。

寄生二極管的作用有兩種解釋：1. MOSFET的寄生二極管用于防止VDD過(guò)壓時(shí)MOSFET燒壞。

2.反向連接MOS管的源極和漏極時(shí)，請(qǐng)防止MOS管燒毀。

當(dāng)電路具有反向感應(yīng)電壓時(shí)，它還可以提供反向感應(yīng)電壓的路徑，以避免MOS管因反向感應(yīng)電壓擊穿。

。

MOSFET具有高輸入阻抗，快速開(kāi)關(guān)速度，良好的熱穩(wěn)定性，電壓控制電流等特性，并且可以在電路中用作放大器，電子開(kāi)關(guān)等。

什么是IGBT管？絕緣柵雙極型晶體管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是由晶體管和MOS管組成的復(fù)合半導(dǎo)體器件。

IGBT管具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，電流大的特點(diǎn)。

它已被廣泛用于各種電子電路中。

IGBT管內(nèi)部的體二極管不是寄生的，而是經(jīng)過(guò)專門設(shè)置以保護(hù)IGBT的脆弱反向耐受電壓，也稱為FWD（續(xù)流二極管）。

IGBT管非常適合諸如交流電動(dòng)機(jī)，變頻器，開(kāi)關(guān)電源，照明電路，牽引驅(qū)動(dòng)器和其他領(lǐng)域的應(yīng)用。

MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特征IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上添加一層來(lái)構(gòu)造的。

對(duì)于具有類似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET的速度慢，因?yàn)镮GBT具有關(guān)斷尾部時(shí)間。

由于IGBT的關(guān)斷尾端時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)，這會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。

如何選擇？在電路中，選擇MOS管還是IGBT管作為電源開(kāi)關(guān)管是工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題。

綜合考慮系統(tǒng)電壓，電流，開(kāi)關(guān)功率等因素，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：總的來(lái)說(shuō)，MOSFET管的優(yōu)勢(shì)在于其良好的高頻特性，其工作頻率可以達(dá)到數(shù)百kHz和更高的MHz，缺點(diǎn)是在高電壓，大電流的情況下導(dǎo)通電阻大，功耗大。

IGBT處于低頻大電流狀態(tài)。

在電源情況下表現(xiàn)出色，具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓。

MOSFET管用于開(kāi)關(guān)電源，高頻感應(yīng)加熱，高頻逆變焊機(jī)，鎮(zhèn)流器，通信電源和其他高頻電源領(lǐng)域； IGBT管集中在焊接機(jī)，電鍍和電解電源，逆變器和變頻器中。

，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。