a）使用環(huán)境應(yīng)無劇烈震動(dòng)和沖擊。環(huán)境介質(zhì)中不應(yīng)有腐蝕性金屬，破壞絕緣材料的雜質(zhì)和氣氛; b）模塊工作溫度：晶閘管-40°C~ + 125°C，整流器-40°C~ + 150°C（兩者結(jié)溫）環(huán)境相對(duì)濕度≤85％，海拔低于1000米; c）使用強(qiáng)制風(fēng)冷時(shí)，模塊風(fēng)速應(yīng)為6 m / s，環(huán)境溫度-40°C~ + 40°C，水冷模塊水流量不小于4×103ml / min，進(jìn)水溫度：-5°C~35°C; 1.短路電流保護(hù); 2. RC吸收電路的過壓保護(hù); 3.應(yīng)滿足門觸發(fā)特性; 4.使用頻率5，溫度保護(hù); 1，體積小2，外殼和電極絕緣3，可靠性高4，安裝方便（1）電力電子半導(dǎo)體模塊化：模塊化，根據(jù)原來的定義是放兩個(gè)以上功率半導(dǎo)體芯片是按照一定的連接電路結(jié)構(gòu)，材料采用RTV，彈性硅膠，環(huán)氧樹脂等保護(hù)。
密封在絕緣外殼內(nèi)，與導(dǎo)熱背板絕緣。自從將模塊的原理引入電力電子領(lǐng)域以來，已經(jīng)在各種內(nèi)部電路中開發(fā)并生產(chǎn)了諸如雙向晶閘管，功率MOSFET和絕緣柵雙極晶閘管（IGBT）的功率半導(dǎo)體模塊。
加快發(fā)展。隨著基于MOS結(jié)構(gòu)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的成功開發(fā)，器件芯片與控制電路，驅(qū)動(dòng)電路，過壓，過流，過熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路相結(jié)合，并密封在同一絕緣外殼中。
稱為智能功率半導(dǎo)體模塊，即IPM。為了提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性，它適用于電力電子的高頻，小型化和模塊化的發(fā)展。
在IPM的基礎(chǔ)上，增加了逆變器的一些功能，使得逆變器電路（IC）的所有組件以芯片形式封裝在一個(gè)模塊中，這成為用戶專用的電源模塊（ASPM）。這種模塊更有利。
高頻。為了將具有幾伏和幾毫安邏輯電平的集成電路IC與幾百伏和幾千伏的功率半導(dǎo)體器件集成以滿足電力工業(yè)的發(fā)展，已采用混合封裝方法來適應(yīng)每個(gè)集成電力電子器件。
模塊（IPEM）。 （2）智能晶閘管模塊：智能晶閘管功率模塊（ITPM）是通過將晶閘管的主電路和相移觸發(fā)系統(tǒng)以及過流，過壓保護(hù)和傳感器封裝在塑料外殼中而制成的。
電路已經(jīng)成為一個(gè)整體。晶閘管是電流控制的功率半導(dǎo)體器件，其需要大的脈沖觸發(fā)功率來驅(qū)動(dòng)晶閘管，并且模塊難以這樣做。
（3）IGBT智能模塊：20世紀(jì)80年代，成功開發(fā)出絕緣柵雙極晶體管IGBT器件。由于IGBT器件具有電壓型驅(qū)動(dòng)，低驅(qū)動(dòng)功率，高開關(guān)速度，降低飽和電壓，并能承受高電壓，大電流等應(yīng)用，并可由IC驅(qū)動(dòng)和控制，然后開發(fā)成集成的IGBTA芯片。
快速二極管芯片，控制和驅(qū)動(dòng)電路，過壓，過流，過溫和欠壓保護(hù)電路，箱式電路和自診斷電路都采用智能IGBT模塊（IPM）封裝在同一絕緣外殼中。它為電力電子逆變器的高頻率，小型化，高可靠性和高性能創(chuàng)造了設(shè)備基礎(chǔ)。
（4）通信電源模塊：目前電源模塊中電力電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是低電壓和大電流。在次級(jí)整流電路中使用同步整流技術(shù)已成為一種有效且低損耗的方法。
由于功率MOSEFT具有低導(dǎo)通電阻并且可以提高電源效率，因此它已經(jīng)應(yīng)用于使用隔離降壓電路的DC / DC轉(zhuǎn)換器。同步整流技術(shù)是通過控制功率MOSEFT的驅(qū)動(dòng)電路來實(shí)現(xiàn)整流功能的技術(shù)。
通常，驅(qū)動(dòng)頻率固定高達(dá)約200kHz。閾值驅(qū)動(dòng)可以通過交叉耦合或外部驅(qū)動(dòng)的信號(hào)結(jié)合死區(qū)時(shí)間控制來實(shí)現(xiàn)。
同步整流技術(shù)不僅提高了功率效率，而且為通信電源模塊帶來了新的進(jìn)步，使同步整流成為廣泛工業(yè)應(yīng)用的主流電源技術(shù)。